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材料磨損過程中產(chǎn)生的電位變化行為初探 2

時間:2023-02-20 22:34:30 電子信息工程論文 我要投稿
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材料磨損過程中產(chǎn)生的電位變化行為初探 2

摘 要:分別對調(diào)質(zhì)、淬火狀態(tài)的45鋼、水韌處理及鑄態(tài)的高錳鋼進行了試驗。結(jié)果表明與摩擦和材料表面塑性流變對應(yīng)的低應(yīng)力環(huán)境中試樣電位隨摩擦線速度增加而平穩(wěn)上升,電位高低與材料組織、狀態(tài)有關(guān),而在與鑿削和撕裂對應(yīng)的高應(yīng)力環(huán)境中該電位則呈鋸齒狀起伏。對此進行了理論解釋。由此提出了一種動態(tài)研究磨損過程及機理的新方法。?

關(guān)鍵詞:磨損;表面電位;磨損試驗

0 前 言?

磨損是鋼鐵材料失效最主要的方式之一,世界各國都為材料磨損研究傾注了大量人力物力,磨損試驗方法則是影響新型耐磨材料研制及磨損機理研究的重要因素。迄今為止,人們針對不同的磨損過程設(shè)計了各種不同的磨損試驗方法,然而歸納起來都是通過測量摩擦負荷作用下,材料長度、面積、體積或質(zhì)量的變化來反映材料的磨損量[1]。這些方法都存在一個共同的不足,即只能通過材料磨損前后的狀態(tài)(初態(tài)和終態(tài))來描述材料的磨損情況,而不能動態(tài)反映材料在磨損過程中的狀態(tài)變化行為。由于材料在摩擦磨損過程中其電位將發(fā)生改變,并且隨材料組織狀態(tài)不同、磨料粒度不同、摩擦過程中的載荷不同、以及摩擦件之間的相對運動速度不同,材料上的電位都會產(chǎn)生相應(yīng)的變化。因而通過采集材料磨損過程中的電位變化信息,則可能動態(tài)地描述材料的磨損過程,為磨損過程的研究提供一種更直接的手段。本文研究表明磨損過程中,試樣上電位變化與材料的組織狀況、磨料粒度、摩擦速度等因素有較強的關(guān)聯(lián)性,能動態(tài)反映出材料被磨損時表面狀態(tài)的變化。?

1 試驗方法及結(jié)果?

分別選擇調(diào)質(zhì)和淬火態(tài)的45鋼、鑄態(tài)及經(jīng)水韌處理的高錳鋼為試驗材料,試樣尺寸Φ10×20,磨損試驗在ML-10型磨損試驗機上進行。試樣上加載的砝碼重量為500g,對磨材料分別選擇32號、100號氧化鋁砂布及320號、500號綠色碳化硅砂紙,試驗中每次更換試樣都相應(yīng)地更換砂布(紙),以保證試驗條件的等同性。試驗裝置如圖1,托架直徑300mm,轉(zhuǎn)速90轉(zhuǎn)/分,試驗過程中試樣在砂布(紙)上往復(fù)運動,摩擦線速度連續(xù)變大或變小。圖2~5分別是線速度由小增大時,上述4種材料的試樣在不同砂布(紙)上磨損過程中電位的變化情況。

2 討 論?

2.1 摩擦磨損與材料電位

固體表面受摩擦?xí)r能夠起電是眾所周知的事實,現(xiàn)代固體理論認為,由于表面態(tài)的形成固體表面具有較高的電子密度[2,3]?,在真空中固體表面電子能夠向外側(cè)延伸~2A0的距離[4]。當表面受到摩擦或產(chǎn)生流變的急劇變形過程中,材料表面容易失去電子而產(chǎn)生正電位。此外,當表層原子(幾個A0的范圍)在摩擦過程中被剝離時,由于表面電子密度較高因而表層剝離亦將使電位升高。這就導(dǎo)致了在低應(yīng)力摩擦環(huán)境中以及摩擦磨損的結(jié)果主要使表面產(chǎn)生塑性流變的情況下,與周圍絕緣的金屬試樣的電位升高,并且隨摩擦速度增加電位增加。在大應(yīng)力磨料磨損環(huán)境中,材料的磨損伴隨著鑿削,疲勞龜裂和撕裂,這時從基體脫離的磨屑尺寸已足夠大可以認為是電中性的,磨屑的形成和剝離可能在很短的間內(nèi)完成,因此這種磨屑的產(chǎn)生將會使電位產(chǎn)生起伏變化。于是,通過在磨損過程中采集試樣電位變化的信息,就能根據(jù)電位變化的規(guī)律動態(tài)地了解和推測磨面發(fā)生的過程,為深入研究磨損機理提供一條新的途徑。 

圖1 磨損裝置示意圖?

1. 托架;2. 砂布(紙);3. 試樣;4. 絕緣保持架;5. 運動臂;6. 毫伏計
 


圖2 調(diào)質(zhì)狀態(tài)45鋼試樣磨損過程中電位隨摩擦線速度遞增時的變化趨勢a. 500號砂紙;b. 320號砂紙;c. 100號砂布;d. 32號砂布


圖3 淬火狀態(tài)45鋼磨損過程中表面電位隨摩擦線速度遞增時的變化趨勢?

a. 500號砂紙;b. 320號砂紙;c. 100號砂布;d. 32號砂布


圖4 水韌處理狀態(tài)高錳鋼磨損過程中表面電位隨摩擦線速度遞增時的變化趨勢?

a.500號砂紙;b.320號砂紙;c.100號砂布;d.32號砂布


圖5 鑄態(tài)高錳鋼磨損過程中表面電位隨摩擦線速度遞增時的變化趨勢?

a.500號砂紙;b.320號砂紙;c.100號砂布;d.32號砂布

2.2 磨料粒度對電位的影響?

圖2~5表明當用500號和320號砂紙作為對磨材料時,各試樣的電位都趨于隨摩擦速度增加而平穩(wěn)上升,并且對同一試樣隨磨料粒度增加(從500號到320號)試樣電位變化趨勢相近但電位值降低。由于附著在上述砂紙上的磨料粒度分別為20~50μm,在試樣與砂紙的接觸面上有60~30個接觸點,試樣與磨料的每個接觸點上就只能分配到很低的應(yīng)力,磨損過程中純摩擦的成分相對較大,試樣與磨料顆粒接觸的局部也主要產(chǎn)生塑性流變,這時電位變化就表現(xiàn)得相對穩(wěn)定,500號砂紙較320號砂紙而言在單位接觸面上有更多的接觸點,因而在磨損過程中顯現(xiàn)出更高的電位值。100號和32號砂布上磨料粒度分別為160~300μm,試樣表面與磨料僅有10~5個接觸點,分配在試樣表面每一接觸區(qū)域的應(yīng)力明顯增大,試樣表層被切削和撕裂形成相對較大磨屑的機率增加,由此造成試樣電位的起伏變化。此外由于實際接觸區(qū)域減小,表現(xiàn)出的電位值亦明顯降低。上述結(jié)果表明材料磨損過程中磨面環(huán)境的變化能夠較靈敏地通過試樣上的電位變化得到及時反映。?

2.3 不同材質(zhì)及狀態(tài)材料磨損時的電位變化規(guī)律?

由圖2~5可見當磨料粒度較細,磨損應(yīng)力較低時,各試樣的電位變化趨勢相近,這就提示了此時各試樣受磨損的機制相近,淬火態(tài)的45鋼硬度高磨損率低,磨損中純摩擦的因素更高,因而電位值高于其他各試樣,并且這種趨勢在與粒度最細的500號砂紙的磨損中表現(xiàn)最明顯。隨磨料粒度增加試樣磨損中的電位值出現(xiàn)起伏,其中45鋼在與100號、32號砂布的磨損中,隨摩擦速度增加,電位值表現(xiàn)出下降趨勢,調(diào)質(zhì)態(tài)的45鋼與3號砂布磨損中,電位出現(xiàn)較大幅度振蕩,提示試樣表面出現(xiàn)強烈形變和撕裂,而淬火態(tài)45鋼在高速磨損中出現(xiàn)的電位迅速降低的趨勢則提示了形成磨屑的脆性崩裂過程。與調(diào)質(zhì)態(tài)和淬火態(tài)45鋼明顯不同的是水韌處理和鑄態(tài)的高錳鋼試樣在與100號、32號砂布的磨損過程中,隨摩擦速度增加試樣電位都出現(xiàn)了總體上升的趨勢,這可以與這種奧氏體材料良好的加工硬化性能聯(lián)系起來,反映了材料在較高應(yīng)力磨損下磨屑形成前較持久的形變硬化過程,同時也反映了這種加工硬化能力需要在較高的應(yīng)力環(huán)境中才有良好表現(xiàn),這與通常使用這種材料的常識是十分吻合的。高錳鋼在水韌處理狀態(tài)較之鑄態(tài)具有更均勻致密的組織,從對1號砂布的磨損結(jié)果看水韌處理的高錳鋼試樣保持了更平穩(wěn)的電位上升趨勢。所有這些都說明磨損中試樣表現(xiàn)出的電位變化與材料組織狀態(tài)有著緊密聯(lián)系,

并動態(tài)反映了材料磨損的微觀過程。?

3 結(jié) 論?

3.1鋼鐵材料磨損試驗中可以產(chǎn)生能被檢測到的電位變化信號,由此可動態(tài)研究材料的磨損過程及機理。?

3.2材料磨損過程中,試樣產(chǎn)生的電位變化趨勢隨磨料粒度及所受應(yīng)力水平的變化而變化,細粒度磨料低應(yīng)力水平下電位隨摩擦速度增加而平緩上升,粗顆粒磨料較高應(yīng)力水平下電位變化出現(xiàn)起伏。?

3.3材料組織及狀態(tài)的變化對磨損試樣的電位變化有明顯影響,對100號、32號砂布的磨損中,調(diào)質(zhì)態(tài)和淬火態(tài)45鋼出現(xiàn)電位起伏并隨摩擦速度增加而呈下降趨勢,同樣情形下高錳鋼試樣電位則隨摩擦速度增加而呈上升趨勢,分別提示了各試樣磨損中磨屑形成所對應(yīng)的撕裂、脆性崩裂、及充分形變硬化后成屑等不同磨損機理。?

參考文獻

[1] K.H.哈比希. 材料的磨損與硬度[M].北京:機械工業(yè)出版社.1987.47.? 

[2] D.S.Boudreaux,H.J.Juretschke.Electronic structure of surfaces: introduction and
 theoretical. Honda Memorial series on materials science,No.1,Structure and properties
 of metal surfaces[M].Maruzen company,LTD.Tokyo,1973.?

[3] Neil W.Ashcroft,N.David Mermin,Solid state physics[M].Holt,Rinehart and Winston,New York,1976,354-371.?

[4] 聞立時.固體材料界面研究的物理基礎(chǔ)[M].
 


作者:唐軍1,何力2,伍玉嬌2,熊玉竹2 


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