- 相關(guān)推薦
反激變換器副邊同步整流控制器STSR3應(yīng)用電路詳解
摘要：為大幅度提高小功率反激開關(guān)電源的整機(jī)效率，可選用副邊同步整流技術(shù)取代原肖特基二極管整流器。它是提高低壓直流輸出開關(guān)穩(wěn)壓電源性能的最有效方法之一。關(guān)鍵詞：反激變換器；副邊同步整流控制器STSR3；高效率變換器
2.7預(yù)置時(shí)間（tant）防止原邊和副邊共態(tài)導(dǎo)通
實(shí)現(xiàn)同步整流的一個(gè)主要難題，是確�？刂艻C送出的驅(qū)動(dòng)信號正確無誤，以?止在副邊的同步整流器與原邊開關(guān)管之間出現(xiàn)交叉的“共態(tài)導(dǎo)通”。其示意圖可見圖16中波形。當(dāng)原邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)，圖16中電壓Vs傾向于負(fù)極性。如果副邊同步MOSFET關(guān)斷時(shí)帶有一些延遲，那么在原邊和副邊之間就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)短路環(huán)節(jié)。為了避免這種不希望的情況發(fā)生，在原邊MOSFET導(dǎo)通之前，同步MOSFET必須是截止的，這表明有必要設(shè)置一定量的“預(yù)置”時(shí)間tant。
圖17給出了詳細(xì)展開的正常工作情況時(shí)，CK時(shí)鐘信號與OUTGATE輸出驅(qū)動(dòng)信號之間的定時(shí)關(guān)系圖。芯片內(nèi)部的定時(shí)tant提供了所需要的預(yù)置時(shí)間，從而避免了共態(tài)導(dǎo)通的出現(xiàn)。按表1的供電條件使用腳SETANT，tant有三種不同的選擇值。在腳SETANT外接電阻分壓器供電，可得到表1中所需的該腳電壓值和預(yù)置時(shí)間。
芯片內(nèi)的數(shù)字控制單元產(chǎn)生這些預(yù)置時(shí)間，是通過計(jì)算在開關(guān)周期之中包含的高頻脈沖數(shù)目來完成的。由于該系統(tǒng)具有數(shù)字性能，在計(jì)數(shù)過程中會(huì)丟失一些數(shù)位，從而導(dǎo)致輸出驅(qū)動(dòng)信號中發(fā)生跳動(dòng)。表1中的預(yù)置時(shí)間值是一個(gè)平均值，考慮了這種跳動(dòng)因素。圖18給出了OUTGATE關(guān)斷期間的跳動(dòng)波形。
2.8空載與輕載工作狀態(tài)
當(dāng)占空比<14％時(shí)，STSR3的內(nèi)部特性能使OUTGATE關(guān)閉，并且切斷芯片內(nèi)部大多數(shù)電路供電，從而減小器件的功耗。在這種條件下，變換器的低輸出電流，是由同步MOSFET的體二極管來完成的。當(dāng)占空比>18％時(shí)，IC再次起動(dòng)，所以具有4％的滯后量。當(dāng)原邊的PWM控制器在極輕輸出負(fù)載下發(fā)生突發(fā)狀態(tài)時(shí)，這種特性仍能維持STSR3系統(tǒng)正確工作。
輸出驅(qū)動(dòng)器具有承受大電流的能力，源極峰值達(dá)2A，加散熱器后可達(dá)3A。因此同步MOSFET開關(guān)極快，允許并聯(lián)幾只MOSFET以減小導(dǎo)通損耗。在供電期間的高電平是Vcc，所以芯片只驅(qū)動(dòng)具有邏輯電平柵極門限的MOSFET。
2.9瞬態(tài)特征及實(shí)測波形
在負(fù)載發(fā)生大變化時(shí)，占空比可在幾個(gè)開關(guān)周期里從低值極快地變?yōu)楦咧�，反之亦然。但OUTGATE給出的預(yù)置時(shí)間，是根據(jù)計(jì)算開關(guān)周期（頻率），而非依據(jù)占空比。即使在占空比快速變化時(shí)，它也能正確地提供預(yù)置時(shí)間，從而始終為同步MOSFET提供正確的驅(qū)動(dòng)。圖19給出了占空比在一個(gè)周期里從50％變成80％，隨即又返回50％時(shí)的測量波形。圖20給出了OUTGATE正確提供的預(yù)置時(shí)間，從圖中看到是131ns。
2.10同步整流控制器STSR3的典型應(yīng)用電路圖
圖21給出了STSR3的典型應(yīng)用電路板測試圖。該電路可替代反激變換器中的整流二極管，用外部時(shí)鐘檢測器進(jìn)行同步，可用于各種類型的反激變換器，例如AC/DC或者DC/DC。圖中的一些電路不是必需的，例如，當(dāng)原邊開關(guān)截止時(shí)如果沒有振鈴出現(xiàn)，那么R24，D15，R25和C11就可以刪掉。用TO?220塑殼封裝的同步MOSFET可裝配在電路板上。ST公司提供的適合作同步整流的MOSFET產(chǎn)品型號、規(guī)格列在表2中。
表2ST公司提供的專用于同步整流器超低導(dǎo)通電阻的MOSFET新品規(guī)格
P/N
VDss/V
RDS(on)@5V/mΩ
ID(cont)/A
STP100NF03L－03
30
4.5
100
STP80NF03L－04
30
5
80
STP90NF03L
30
12
90
STP85NF3LL
30
9
85
STP70NF3LL
30
12
70
STP100NF04L
40
5
100
STP80NF55L－06
55
8
80
STP60NF06L
60
16
60
STP80NF75L
75
13
80
STP40NF10L
100
36
40
該電路板，能在反激式變換器中，很容易地將二極管整流改變?yōu)镸OSFET同步整流。
2.11主芯片STSR3印刷電路板的設(shè)計(jì)布局
任何一種高頻開關(guān)電源，都需要一個(gè)良好的PCB設(shè)計(jì)布局，以實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)性能的最高指標(biāo)，并解決干擾的輻射傳導(dǎo)問題。電路板上元器件的排放位置、引腳走線和寬度等，都是主要的課題。本文將給出一些基本的規(guī)則，使PCB設(shè)計(jì)者能制作出良好的STSR3電路板布局。
圖21
在PCB上畫線時(shí)，所有電流的走線都應(yīng)盡量縮短和加粗，使走線電阻和寄生電感為最小值，以增進(jìn)系統(tǒng)的效率和降低干擾的輻射傳導(dǎo)。電流返回的路徑安排是另一個(gè)有決定意義的課題。信號的地線SGLGND與功率地線PWRGND應(yīng)分別布線，并且都接芯片的信號地線腳。印刷電路板各元器件布局如圖22所示。
圖22
由于腳INHIBIT接芯片內(nèi)部－25mV比較器，它對布線較敏感，所以要使板上接INHIBIT的連線盡可能縮短。作為經(jīng)驗(yàn)，信號電流的走線應(yīng)遠(yuǎn)離脈沖電流或快速開關(guān)電壓的走線，以避免在它們之間出現(xiàn)耦合效應(yīng)。
圖23給出了從元器件焊接的正面（即頂部端）看到的印制板銅箔（按1：1面積尺寸）的繪線布局；圖24則給出了印制板背面（即底部端）銅箔繪線，有十幾個(gè)園形穿孔點(diǎn)。
2.12怎樣用STSR3控制板便捷替換原二極管
圖25給出了用簡便方法，在原有反激變換器上，去掉已安裝的副邊整流二極管，換上同步整流STSR3控制板的示意圖。如果原Vout等于或大于5V，就把新板上的Vs電壓線接到Vout；若它低于5V，仍把Vs接到MOS漏極。
圖25
3結(jié)語
專用于控制同步整流的新器件已問世，它能提高AC/DC或DC/DC反激式變換器的效率。STSR3對于原邊PWM控制器是完全透明的，它工作在副邊。該器件能工作在?何拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，為同步MOSFET開關(guān)管提供正確的驅(qū)動(dòng)信號。以上介紹的控制板在任意現(xiàn)存的反激變換器上，均能以簡單有效的方法實(shí)現(xiàn)同步整流。（續(xù)完）
【反激變換器副邊同步整流控制器STSR3應(yīng)用電路詳解】相關(guān)文章：
反激變換器副邊同步整流控制器STSR3應(yīng)用電路詳解（1）08-06
次級同步整流及輸出均流的集成控制器08-06
新型反激變換器準(zhǔn)諧振控制器ICE1QS01及其應(yīng)用電路與設(shè)計(jì)08-06
雙管反激變換器研究分析08-06
高效轉(zhuǎn)換的同步回掃電路08-06
過流保護(hù)在可控硅整流裝置中的應(yīng)用08-06