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基于PLD的嵌入式系統(tǒng)外存模塊設(shè)計(jì)
摘要：以MCS-96系列單片機(jī)為例，介紹了一種采用可編程邏輯器件(PLD)的存儲器模塊的設(shè)計(jì)方案，該模塊包含了Flash閃存和RAM。提出了一種方便的存儲器擴(kuò)展方法，該方法有效地解決了嵌入式系統(tǒng)尤其是數(shù)據(jù)采集、存儲等系統(tǒng)中存在的存儲空間不足問題。該方案具有通用性強(qiáng)、讀寫控制簡單等特點(diǎn)，具有很強(qiáng)的實(shí)用性。關(guān)鍵詞：PLD存儲器RAM單片機(jī)閃存
在嵌入式系統(tǒng)中，由于設(shè)計(jì)成本和體積等因素的限制，往往會使CPU(包括DSP、單片機(jī)等)存在地址空間不足的問題。很多文獻(xiàn)(如參考文獻(xiàn)［1］都有相關(guān)的存儲器擴(kuò)展方法的介紹，目前已有的方法通常是借助于CPU的I／0接口產(chǎn)生片選或者高位地址信號，利用這些信號將內(nèi)存分頁，但當(dāng)頁間跳轉(zhuǎn)時(shí)將給程序設(shè)計(jì)帶來不便。對于沒有內(nèi)部存儲器并且采用統(tǒng)一編址的CPU，如80C196KC20［1］，這種頁間切換將造成CPU無法繼續(xù)執(zhí)行當(dāng)前程序而產(chǎn)生錯誤(見圖1)。在CPU執(zhí)行頁面切換操作后，本應(yīng)該繼續(xù)執(zhí)行頁面1的指令，可是卻錯誤地執(zhí)行了頁面2中的相應(yīng)指令，這種結(jié)果不是所需要的。因此尋找一個(gè)有效的存儲器擴(kuò)展方法是實(shí)際應(yīng)用中亟待解決的問題。
1存儲器擴(kuò)展方法解決方案
在對MCS-96系列單片機(jī)的使用中發(fā)現(xiàn)，64K字節(jié)的存儲空間用來存放程序能滿足絕大多數(shù)的使用需求(通常用戶的應(yīng)用程序不到10K字節(jié))，但如果使用其進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲控制，則會帶來存儲空間上的嚴(yán)重不足。通過對實(shí)際應(yīng)用的統(tǒng)計(jì)分析發(fā)現(xiàn)，在很多情況下，數(shù)據(jù)的
存取僅限于順序的連續(xù)操作。利用這個(gè)特點(diǎn)，可以對數(shù)據(jù)存儲空間進(jìn)行簡化設(shè)計(jì)，具體的說就是通過對同一個(gè)地址連續(xù)讀或者連續(xù)寫來進(jìn)行批量數(shù)據(jù)的存取，從而節(jié)省地址空間。在16位CPU中，可以將任何一段64K字(2的16次方)的存儲空間映射到兩個(gè)地址(一個(gè)作為讀取的位置，一個(gè)作為寫入的位置)，采用這樣的映射方法可以將內(nèi)存最大擴(kuò)展到2G字(2的31次方)，但這樣的設(shè)計(jì)同時(shí)也帶來了諸多邏輯控制上的困難。隨著可編程邏輯器件(PLD)包括FPGA、EPLDE4［4］、CPLD等的迅速發(fā)展，數(shù)字邏輯電路的設(shè)計(jì)得到了大大簡化，從而使這種存儲器擴(kuò)展想法可以得到實(shí)現(xiàn)。
2存儲器擴(kuò)展方法的具體實(shí)現(xiàn)
下面以筆者設(shè)計(jì)的系統(tǒng)為例來詳細(xì)說明這種存儲器擴(kuò)展方法的實(shí)現(xiàn)。該系統(tǒng)是一個(gè)多功能數(shù)據(jù)采集設(shè)備，能夠以最高40k次／s的速率進(jìn)行12位A／D轉(zhuǎn)換，并且可以將采集到的數(shù)據(jù)保存至FlashROM中，以防止掉電丟失。技術(shù)參數(shù)要求如下：①最多可以保存32K字節(jié)的采樣數(shù)據(jù)；②可以同時(shí)存儲4段系統(tǒng)工作配置程序，每段4K字節(jié)，共計(jì)16K字節(jié)；③由于FlashROM自身的特點(diǎn)，在寫人數(shù)據(jù)后的編程階段不能進(jìn)行讀寫操作，因此為了保證系統(tǒng)采樣和單片機(jī)運(yùn)行的正常進(jìn)行，需要額外增加32K字節(jié)的RAM作為數(shù)據(jù)緩存；④系統(tǒng)程序、中斷服務(wù)程序等共占用56K字節(jié)(FlashROM和RAM各保留28K字節(jié))，總計(jì)需要存儲空間136K字節(jié)。這個(gè)需求已經(jīng)超過96系列單片機(jī)的64K字節(jié)尋址范圍，為此設(shè)計(jì)了一個(gè)存儲器模塊，其結(jié)構(gòu)如圖2所示。
圖2
FlashROM采用ATMEL公司的AT29C1024，容量為128K字節(jié)，數(shù)據(jù)線寬度為16位；RAM存儲器由兩片CY7C199組成，數(shù)據(jù)線寬度為16位，容量為64K字節(jié)。80C196單片機(jī)的ALE為地址鎖存信號，／WE為寫有效信號，／RD為讀有效信號，READY為準(zhǔn)備就緒信號。MCS-96系列單片機(jī)支持8位和16位兩種工作模式，為了提高系統(tǒng)的性能，選擇16位工作模式。96系列單片機(jī)地址是按照字節(jié)的方式來計(jì)算的，因此在16位工作模式下的A0=0沒有實(shí)際意義。在通常的讀寫情況下，取經(jīng)過鎖存后的AD1～AD15地址作為A1~A15而A16=0。
下面以讀FlashROM為例介紹地址擴(kuò)展方法。對于可以直接尋址的地址，EPLD作為鎖存器，將AD0~AD15分時(shí)的地址數(shù)據(jù)總線分開，生成獨(dú)立的地址和數(shù)據(jù)總線。在這里定義了兩個(gè)特殊的地址：FlashROM數(shù)據(jù)塊的讀地址Address_F_R和讀位置指針地址Address_F_RP。首先向Ad-dress_F_RP寫入一個(gè)16位的二進(jìn)制數(shù)，該數(shù)代表了將要讀取的數(shù)據(jù)塊的首地址，16位表示范圍是0～65535，因此可以指定的首地址范圍是64K字即128K字節(jié)；然后連續(xù)地從Address_F_R進(jìn)行讀取操作，每讀一次，位置指針會自動加1而不需要重新設(shè)置。如果需要讀取新的位置，只需要向Address_F_RP地址寫入新的位置數(shù)據(jù)即可。該功能在EPLD器件內(nèi)部的實(shí)現(xiàn)方法見圖3。計(jì)數(shù)器可同步設(shè)置初值、同步計(jì)數(shù)，在AHDL語言中聲明為1pm_counter［5］。其中，CNT_EN為計(jì)數(shù)使能控制，當(dāng)CNT_EN為高電平時(shí)，每當(dāng)CLOCK上升沿到來時(shí)計(jì)數(shù)器便會自動加一，從而實(shí)現(xiàn)了地址自動增加的功能；CLOCK為同步時(shí)鐘輸入端，上升沿有效；SLOAD為計(jì)數(shù)器同步設(shè)置初值信號，當(dāng)該信號為高電平時(shí)，在CLOCK上升沿的作用下，計(jì)數(shù)器的輸出Q［15．．0]=D［15．．0]，從而實(shí)現(xiàn)初始化讀取位置的功能。計(jì)數(shù)器用AHDL語言描述如下：
counter：lPm_counterwith(1pm_width=16)；
counter.clock=
�。痳d&(／we#(a[15．．0]!=Address_F_RP)；
counter.sload=(a[15．．0］==Address_F_RP)；
counter.cnt_en=(a[15．．0］=Address_F_R)；
counter．data[15．．0]=D[15．．0]；
clock信號要保證在寫Address_F_RP地址修改讀取位置時(shí)，或讀Address_F_R地址取數(shù)據(jù)時(shí)都能產(chǎn)生上升沿信號�？偩�a0-a15和D0~D15分別是由AD0-AD15分離出來的地址和數(shù)據(jù)總線。多路選擇器則根據(jù)地址譯碼產(chǎn)生的S0-S3選擇輸出地址，輸出地址直接連接到RAM和FlashROM的地址線上。如果訪問除Address_F_RP和Address_F_RP以外的地址，則地址輸出總線A115．．1)=a［15．．1］、A16=0，即單片機(jī)直接訪問存儲器；如果讀取Address_F_R，則片選／CS2有效并且A[16..1)Q(15．．0]作為輸出地址。這樣就可以自動地在不同存儲區(qū)域進(jìn)行切換，從而大大地增加了內(nèi)存的擴(kuò)充能力，并且簡化了程序設(shè)計(jì)。運(yùn)用同樣的方法還可以定義FlashROM中的數(shù)據(jù)塊寫入地址Address_F_W和寫位置指針地址Address_F_WP，RAM中也有類似的方法定義Address_R_(RAM數(shù)據(jù)塊讀地址)、Address_R_RP(RAM數(shù)據(jù)塊的讀位置指針地址)、Address_R_W(RAM數(shù)據(jù)塊寫地址)和Address_R_WP(RAM數(shù)據(jù)塊的寫位置指針地址)。這樣可以方便地對內(nèi)存的擴(kuò)展部分進(jìn)行讀寫。下面以MCS-96的匯編語言為例來說明程序中是如何操作的。比如需要從IOPORT0口連續(xù)采集數(shù)據(jù)，然后存放到RAM中指定的數(shù)據(jù)塊等待處理，則可以寫出如下程序：
LD40H，地址值；地址值為即將寫入的目的地址，16位按字編址。
ST40H，Address_R_WP；設(shè)置寫位置指針
REPEAT：
LDB40H，IOPORT0
LDB41H，IOPORTO；40H和41H為內(nèi)部寄存器，因?yàn)榘醋执鎯λ赃B續(xù)讀兩次
ST40H，Address_R_W；寫入指定位置條件判斷退出循環(huán)
JMPREPEAT
從上面這個(gè)簡單的例子可以看出，這種存儲器組織方法大大簡化了編程的的復(fù)雜性，并且可以采用對位置指針賦初值的方法來實(shí)現(xiàn)對擴(kuò)展存儲器中任何一個(gè)位置的讀寫操作。
3地址分配
有了上面的存儲器擴(kuò)展方法，再結(jié)合系統(tǒng)的技術(shù)參數(shù)和單片機(jī)的特點(diǎn)，就可以做出一套合理的內(nèi)存地址分配方案。下面給出單片機(jī)的地址劃分情況：
0000H~01FFH系統(tǒng)寄存器區(qū)，保留0200H~1EFFH用戶區(qū)，直接映射到FlashROM中的
0200H~1EFFH可以用來存放數(shù)據(jù)、程序等，該區(qū)域可以由單片機(jī)直接進(jìn)行尋址。
1FOOH~1FFFH用戶區(qū)，實(shí)際使用中把Address—1lR、Address_F_WP等地址以及一些特殊設(shè)備如A／D轉(zhuǎn)換器、LCD顯示屏等的訪問地址設(shè)置在這個(gè)區(qū)域。
2000H~207FH該區(qū)域是中斷向量區(qū)、芯片配置字節(jié)區(qū)、保留字區(qū)等，直接映射到FlashROM中的2000H-207FH。
2080H～8FFFH用戶區(qū)，單片機(jī)啟動也是從2080H處開始執(zhí)行程序的，因此把這個(gè)地址范圍直接映射到FlashROM的2080H～8FFFH,該區(qū)域設(shè)置系統(tǒng)的引導(dǎo)、初始化等程序。
9000H～FFFFH用戶區(qū)，將這一段映射到RAM的9000H～FFFFH，作為系統(tǒng)程序的運(yùn)行區(qū)域。
上面的分配方案可以通過對地址總線進(jìn)行譯碼生成相應(yīng)的片選信號／CSl和／CS2來實(shí)現(xiàn)。這樣分配后，F(xiàn)lashROM和RAM的使用情況如圖4所示。
圖4中白色區(qū)域是單
片機(jī)通過總線直接尋址的區(qū)域，可以由單片機(jī)直接進(jìn)行訪問�；疑珔^(qū)域?yàn)閮?nèi)存的擴(kuò)展區(qū)域，不能被單片機(jī)直接訪問，但可以通過前面介紹的方法由EPLD生成地址進(jìn)行讀寫操作。下面簡要介紹一下各個(gè)區(qū)域在實(shí)際中的用途：FlashROM中的0000H~1FFH和1F00H～1FFFH因?yàn)槿萘亢苄�，沒有被利用。系統(tǒng)啟動后從FlashROM的2080H處開始執(zhí)行程序，將2000H~8FFFH的內(nèi)容復(fù)制到RAM中的9000H~FFFFH，然后跳轉(zhuǎn)到RAM中執(zhí)行系統(tǒng)程序。由于HashROM的速度慢，需要在讀寫過程中插入一定量的等待周期，因此將程序復(fù)制到RAM中執(zhí)行可以提高系統(tǒng)的性能；同時(shí)系統(tǒng)在對FlashROM進(jìn)行寫入操作后，編程階段的10ms內(nèi)不能對其進(jìn)行讀取，因此RAM在這個(gè)時(shí)候也提供了程序運(yùn)行的位置。這樣分配后，程序的長度被限制在28K字節(jié)，實(shí)際中這個(gè)數(shù)量完全可以滿足系統(tǒng)的需求。HashROM中的9000~FFFFH共28K字節(jié)，用來保存4段系統(tǒng)運(yùn)行配置程序，每段長度可達(dá)7K字節(jié)；10000H-
1FFFFH共64K字節(jié)，用來作為采集數(shù)據(jù)的保存區(qū)域。RAM中的0000H~8FFFH共36K字節(jié)，用來作為數(shù)據(jù)的緩存區(qū)域。從上面的分析可以看出，最終設(shè)計(jì)的各項(xiàng)指標(biāo)都已經(jīng)超過實(shí)際的需求，能很好地解決實(shí)際應(yīng)用問題。
4合理利用日EADY信號
最后介紹一下單片機(jī)就緒信號READY在這個(gè)系統(tǒng)中的關(guān)鍵作用。從前面的設(shè)計(jì)中可以看出系統(tǒng)存在著高速RAM和慢速HashROM存儲器，開始時(shí)，HashROM選用了AT29C1024-70JCt31，它是該型號中速度最快的，有效數(shù)據(jù)建立時(shí)間僅為70ns。單片機(jī)不插入等待周期的讀寫時(shí)序，如圖5所示。
從ALE下降沿地址有效到／RD上升沿的時(shí)間是80ns，Hash的響應(yīng)時(shí)間為70ns，再加上EPLD的延時(shí)就造成了單片機(jī)從HashROM讀取數(shù)據(jù)的不穩(wěn)定，表現(xiàn)在無法對FlashROM進(jìn)行在線寫入、經(jīng)常發(fā)生錯誤的執(zhí)行結(jié)果、死機(jī)等。為此必須加入等待周期，延長讀、寫時(shí)間才能滿足HashROM的要求。在這里只需插入一個(gè)等待周期(100ns)便可以滿足要求，因此設(shè)置芯片配置字節(jié)CCR．5=0，CCR．4；0[1]。這樣，當(dāng)READY信號為低電平時(shí)便自動插入且僅插入一個(gè)等待周期。一個(gè)簡單的做法就是把FlashROM的片選信號／CS2連接到READY，這樣，當(dāng)選中FlashROM芯片時(shí)READY信號就跟隨／CS2同時(shí)變?yōu)榈碗娖�。按照這樣的設(shè)想可在EPLD內(nèi)部重新設(shè)置READY信號，描述如下：
ready=!(((a[15．．0]>=H"0200")&(a[15．．0]<：=H"1EFF"))
#((a[15．．0]>=H"2000")&(a[15．．0]<=H"8FFF"))#(a[15．．0]==Address_F_R)
#(a[15．．0]==Address_F_W)&!ALE)
可是實(shí)際故障依舊，通過測試得到的時(shí)序信號如圖6所示。
READY信號的產(chǎn)生落后ALE下降沿5ns，造成READY信號產(chǎn)生無效，解決這個(gè)問題的唯一方法是提前生成READY信號。實(shí)際中有效地址是在ALE下降沿鎖存后產(chǎn)生的，這也是READY信號產(chǎn)生表達(dá)式中最后一項(xiàng)的來源，但是考慮到地址的產(chǎn)生應(yīng)該發(fā)生在ALE下降沿之前，以保證鎖存到正確的地址。因此大膽設(shè)想讓READY信號的產(chǎn)生不再受ALE的控制，只要總線上產(chǎn)生地址就可以作出判斷，從而提前生成READY信號。但這樣的做法破壞了同步時(shí)序，而且異步生成READY信號容易產(chǎn)生冒險(xiǎn)現(xiàn)象。通過分析，可以發(fā)現(xiàn)異步生成
READY信號并不會帶來任何不穩(wěn)定因素，因此修改READY信號如下：
ready=!(((a[15..0]>=H"0200")&(a[15．．0]<=H"1EFF"))
#((a[15．．0]>=H"2000")&(a[15．．0]<=H"8FFF"))
#(a[15．．0)==Address_F_R)
#(a[15．．0]==Address_F_W)
即去掉了對地址有效信號ALE的判斷。修改后系統(tǒng)工作穩(wěn)定、正常。修改后對HashROM的讀寫時(shí)序如圖7所示，而對RAM讀寫的時(shí)序依舊是圖6，目的達(dá)到�？紤]到插入一個(gè)等待周期后大大增加了讀寫時(shí)間，因此將AT29C1024-70JC換成廉價(jià)的AT29C1024-12JC(有效數(shù)據(jù)建立時(shí)間為120ns)[3]，系統(tǒng)依然能夠穩(wěn)定工作。通過使用，證明這種存儲器設(shè)計(jì)方案是可行的。
前面詳細(xì)地介紹了一種實(shí)用的存儲器擴(kuò)展方法，該方法是基于PLD器件實(shí)現(xiàn)的，有效地解決了嵌入式系統(tǒng)，尤其是數(shù)據(jù)采集、存儲系統(tǒng)中內(nèi)存擴(kuò)展的問題。該方法能夠簡化程序設(shè)計(jì)，并且不需要隨C
PU型號的變化而修改設(shè)計(jì)，具有很好的可移植性。同時(shí)還給出了一種較為復(fù)雜的單片機(jī)外部存儲器的組織方案，包括了FlashROM和RAM構(gòu)成的存儲系統(tǒng)。最后提出了將READY信號由同步產(chǎn)生改為異步產(chǎn)生的方式，解決了CPU在高速RAM與低速FlashROM之間切換產(chǎn)生的問題，最終設(shè)計(jì)成了一套較為完善的CPU外部存儲器系統(tǒng)。
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